Etude et caracterisation des phenomène de saturation et des courants parasites dans les transitors NMOS submicroniques application à la téchnologie"high-k" [] / AMHOUCHE YOUSSEF
Mention d'édition: 1ERE EDITIONPublication : FD,, 2005Description : 137p.Sujet - Nom commun: Physique| Type de document | Site actuel | Cote | Statut | Date de retour prévue |
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