Caractérisation des défauts dans les semi isolants (Cd Te et Cd Zn Te ) et dans les photopiles solaires ( Ga As et Si ) [] / DRIGHIL Asmaa
Publication : Résumé : S/ -I Introduction - II Caractéristique électronique d'un défaut - III Caractéristique physique des niveaux profonds - IV Défauts dans les semiconducteurs GaAs, Si et CdTe - Aspects experimentaux - Mesures picts résultats et discussions.Note d thèse : .Sujet - Nom commun: PHYSIQUE -- Micro-électronique Sujet: Détecteurs,Semi-isolants,Photopiles solaires spatiales,Semiconducteurs GaAs, Si,Irradiation électronique,Accélérateur Van de Graf| Type de document | Site actuel | Cote | Statut | Date de retour prévue |
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| Bibliothèque de la Faculté des Sciences Ben M’Sick Rez de chaussee | XX(85123.1) (Parcourir l'étagère) | Disponible |
DOCTORAT NATIONAL 2000
S/ -I Introduction - II Caractéristique électronique d'un défaut - III Caractéristique physique des niveaux profonds - IV Défauts dans les semiconducteurs GaAs, Si et CdTe - Aspects experimentaux - Mesures picts résultats et discussions
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