| 000 | 00876nam a22001933 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | u85349 | ||
| 003 | SIRSI | ||
| 090 |
_a231771 _9231770 |
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| 100 | _a04032013f m y0frey50 ba | ||
| 200 | 1 |
_aCAPACITES METAL-ISOLANT-SEMICONDUCTEURS(MIS) SUR GaAs _bTHESE/ _fDBAGHI Mourad |
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| 328 | 0 |
_bDESA _d2005 |
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| 330 | _aDans ce mémoire nous avons présenté une technique de passivation de GaAs basée sur la déposition par PECVD basse fréquence d’une couche mince de nitrure de silicium. Si les travaux publiés sur la passivation des III-V par déposition PECVD de Si3N4 ont mis | ||
| 345 | _b422 | ||
| 606 | 1 |
_aPHYSIQUE _x |
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| 700 | 1 |
_aDBAGHI, _bMourad |
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| 901 |
_bFSB _fM. MOUSSETAD & R. ADHIRI & A. RIDAH & B. HARTITI et S. OUASKIT _g _h _u |
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| 949 |
_i004017241 _mFSB _lSTACKS _o422 _tTHESE |
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| 596 | _a5 | ||
| 999 |
_aXX(85349.1) _wAUTO _c1 _lSTACKS _mFSB _rY _sY _tTHESE _u10/23/2013 _o.STAFF. 422 |
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