| 000 | 01152nam a22001933 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | u85631 | ||
| 003 | SIRSI | ||
| 090 |
_a232053 _9232052 |
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| 100 | _a04032013f m y0frey50 ba | ||
| 200 | 1 |
_aCARACTERISTIQUES C-V DES STRUCTURES MIS A BASE DE SEMICONDUCTEUR GaAs PASSIVE PAR (NH4)2S : MODELISATION & SIMULATION _bTHESE/ _fBELALI Said |
|
| 328 | 0 |
_bDOCTORAT _d2008 |
|
| 345 | _b828 | ||
| 606 | 1 |
_aPHYSIQUE _xPhysique du solide |
|
| 610 | 0 | _aModélisations, simulation, caractérisations électriques, MIS, MOS, Si3N4, potentiel de surface, états de surface, Simulink, Matlab, PECVD, passivation, modulation, plasma basse fréquence, plasma haute fréquence. | |
| 700 | 1 |
_aBELALI, _bSaid |
|
| 901 |
_bFSB _fM. Mohamed ADDOU Professeur à la Faculté des Sci. Kénitra Président& Rapporteur M. Abdelkrim ELFAJRI Professeur à la Faculté des Sci. Eljadida Rapporteur M. Abdelatif MORSAD Professeur à la Faculté des Sci. B.M’Sik.CASA Rapporteur Mme. Rahma ADHIRI Profes _g _hM. Ahmed FAHLI _u20-déc.-08 |
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| 949 |
_i004017523 _mFSB _lSTACKS _o828 _tTHESE |
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| 596 | _a5 | ||
| 999 |
_aXX(85631.1) _wAUTO _c1 _lSTACKS _mFSB _rY _sY _tTHESE _u10/23/2013 _o.STAFF. 828 |
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