| 000 -Label |
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| leader |
01143nam a22002053 4500 |
| 001 - Numéro de notice |
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| Numéro d'identification notice |
u85226 |
| 100 ## - Données générales de traitement |
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| données générales de traitement |
04032013f m y0frey50 ba |
| 200 1# - Titre |
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| titre propre |
L'effet photorefractif dans les semi-conducteurs II-VI CdTe:V et l'alignement de bandes dans l'héterostructure ZnSSe/CdZnSe. |
| type de document |
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| Auteur |
IFEGOUS Bouchra |
| 328 #0 - Note |
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| détails sur la thèse ou le mémoire dont le titre du diplôme |
DOCTORAT NATIONAL |
| date du diplôme |
2003 |
| 330 ## - Résumé |
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| Résumé |
- Chap I Théorie de l'effet photoréfractif et les matériaux photoréfractifs - Chap II L'effet photoréfractif dans CdTe : V - Chap III L'effet photoréfractif dans le CdTe : V calculé par le modèle à deux niveaux profonds - Chap IV Généralitésur les diodes |
| 345 ## - note |
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| numéro d'éditeur |
299 |
| 596 ## - |
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5 |
| 606 1# - sujets |
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| sujet |
PHYSIQUE |
| subdivision du sujet |
Optoélectronique |
| 610 0# - sujets |
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| sujet |
Semi-conducteurs II-VI, Hétérostructure, Niveau profond, Fréquence optimale, Gain photoréfractif, Champ de charge d'espace, Diode Laser émettant dans le bleu, Modèle d'alignement de bandes |
| 700 1# - Auteur |
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| auteur |
IFEGOUS, |
| partie du nom autre que l'élément d'entrée |
Bouchra |
| 901 ## - numéro de référence Electre |
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FSB |
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1 |
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03-avr.-03 |
| 949 ## - |
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004017118 |
| -- |
FSB |
| -- |
STACKS |
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299 |
| -- |
THESE |
| 999 ## - |
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| -- |
XX(85226.1) |
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AUTO |
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1 |
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STACKS |
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FSB |
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Y |
| -- |
Y |
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THESE |
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10/23/2013 |
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.STAFF. 299 |
