L'effet photorefractif dans les semi-conducteurs II-VI CdTe:V et l'alignement de bandes dans l'héterostructure ZnSSe/CdZnSe. [] / IFEGOUS Bouchra
Publication : Résumé : - Chap I Théorie de l'effet photoréfractif et les matériaux photoréfractifs - Chap II L'effet photoréfractif dans CdTe : V - Chap III L'effet photoréfractif dans le CdTe : V calculé par le modèle à deux niveaux profonds - Chap IV Généralitésur les diodes.Note d thèse : .Sujet - Nom commun: PHYSIQUE -- Optoélectronique Sujet: Semi-conducteurs II-VI, Hétérostructure, Niveau profond, Fréquence optimale, Gain photoréfractif, Champ de charge d'espace, Diode Laser émettant dans le bleu, Modèle d'alignement de bandes| Type de document | Site actuel | Cote | Statut | Date de retour prévue |
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| Bibliothèque de la Faculté des Sciences Ben M’Sick Rez de chaussee | XX(85226.1) (Parcourir l'étagère) | Disponible |
DOCTORAT NATIONAL 2003
- Chap I Théorie de l'effet photoréfractif et les matériaux photoréfractifs - Chap II L'effet photoréfractif dans CdTe : V - Chap III L'effet photoréfractif dans le CdTe : V calculé par le modèle à deux niveaux profonds - Chap IV Généralitésur les diodes
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