CAPACITES METAL-ISOLANT-SEMICONDUCTEURS(MIS) SUR GaAs (notice n° 231771)
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| 000 -Label | |
|---|---|
| leader | 00876nam a22001933 4500 |
| 001 - Numéro de notice | |
| Numéro d'identification notice | u85349 |
| 100 ## - Données générales de traitement | |
| données générales de traitement | 04032013f m y0frey50 ba |
| 200 1# - Titre | |
| titre propre | CAPACITES METAL-ISOLANT-SEMICONDUCTEURS(MIS) SUR GaAs |
| type de document | |
| Auteur | DBAGHI Mourad |
| 328 #0 - Note | |
| détails sur la thèse ou le mémoire dont le titre du diplôme | DESA |
| date du diplôme | 2005 |
| 330 ## - Résumé | |
| Résumé | Dans ce mémoire nous avons présenté une technique de passivation de GaAs basée sur la déposition par PECVD basse fréquence d’une couche mince de nitrure de silicium. Si les travaux publiés sur la passivation des III-V par déposition PECVD de Si3N4 ont mis |
| 345 ## - note | |
| numéro d'éditeur | 422 |
| 596 ## - | |
| -- | 5 |
| 606 1# - sujets | |
| sujet | PHYSIQUE |
| subdivision du sujet | |
| 700 1# - Auteur | |
| auteur | DBAGHI, |
| partie du nom autre que l'élément d'entrée | Mourad |
| 901 ## - numéro de référence Electre | |
| -- | FSB |
| -- | M. MOUSSETAD & R. ADHIRI & A. RIDAH & B. HARTITI et S. OUASKIT |
| -- | |
| -- | |
| -- | |
| 949 ## - | |
| -- | 004017241 |
| -- | FSB |
| -- | STACKS |
| -- | 422 |
| -- | THESE |
| 999 ## - | |
| -- | XX(85349.1) |
| -- | AUTO |
| -- | 1 |
| -- | STACKS |
| -- | FSB |
| -- | Y |
| -- | Y |
| -- | THESE |
| -- | 10/23/2013 |
| -- | .STAFF. 422 |
| Propriétaire | dépositaire permanent | niveau de localisation | Code barre | cote | Statut |
|---|---|---|---|---|---|
| Bibliothèque de la Faculté des Sciences Ben M’Sick | Bibliothèque de la Faculté des Sciences Ben M’Sick | Rez de chaussee | 0410000422 | XX(85349.1) | Empruntable |