CAPACITES METAL-ISOLANT-SEMICONDUCTEURS(MIS) SUR GaAs [] / DBAGHI Mourad
Publication : Résumé : Dans ce mémoire nous avons présenté une technique de passivation de GaAs basée sur la déposition par PECVD basse fréquence d’une couche mince de nitrure de silicium. Si les travaux publiés sur la passivation des III-V par déposition PECVD de Si3N4 ont mis.Note d thèse : .Sujet - Nom commun: PHYSIQUE --| Type de document | Site actuel | Cote | Statut | Date de retour prévue |
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| Bibliothèque de la Faculté des Sciences Ben M’Sick Rez de chaussee | XX(85349.1) (Parcourir l'étagère) | Disponible |
DESA 2005
Dans ce mémoire nous avons présenté une technique de passivation de GaAs basée sur la déposition par PECVD basse fréquence d’une couche mince de nitrure de silicium. Si les travaux publiés sur la passivation des III-V par déposition PECVD de Si3N4 ont mis
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