CARACTERISTIQUES C-V DES STRUCTURES MIS A BASE DE SEMICONDUCTEUR GaAs PASSIVE PAR (NH4)2S : MODELISATION & SIMULATION [] / BELALI Said
Publication : Note d thèse : .Sujet - Nom commun: PHYSIQUE -- Physique du solide Sujet: Modélisations, simulation, caractérisations électriques, MIS, MOS, Si3N4, potentiel de surface, états de surface, Simulink, Matlab, PECVD, passivation, modulation, plasma basse fréquence, plasma haute fréquence| Type de document | Site actuel | Cote | Statut | Date de retour prévue |
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DOCTORAT 2008
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